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关于DDR3的串接匹配电阻的设计问题

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发表于 2014-9-14 09:14:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
在我们目前很多DDR3的DQ信号线上都设计了串接匹配电阻,这个串接电阻为了使驱动器与传输线匹配,因为驱动器的输出阻抗为25Ω左右,而pcb走线为45Ω左右,所以在线上加一个23Ω左右的电阻匹配(一般设计在内存条上),但是在有些设计中,由于版面布局的限制,我们不设计该串接电阻。有谁测试过有串接电阻和没有串接电阻的差异?
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发表于 2014-9-15 09:10:00 | 显示全部楼层
有ODT就可以了,关键还是接收端的信号质量。
在无odt的情况下有这种匹配会抑制掉源端的振铃,但是会增大功耗。
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发表于 2014-9-15 16:56:00 | 显示全部楼层
DDR3数据信号都有ODT,所以没必要再接匹配电阻。
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 楼主| 发表于 2014-9-15 19:41:00 | 显示全部楼层
但是在DIMM条上是有串接电阻的,ODT是可调的。
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发表于 2014-9-17 19:43:00 | 显示全部楼层
不需要串电阻
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